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Transphorm
Transphorm是设计和制造高性能、高可靠性氮化镓(GaN)功率半导体的全球领导者。该公司专注于通过氮化镓技术革新电源转换系统,与传统硅基解决方案相比,该技术具有更高的效率、更低的能量损耗和更强的散热性能。Transphorm的产品广泛应用于数据中心、工业电机、可再生能源系统和电动汽车等领域。凭借强大的专利组合和覆盖设计、制造及应用支持的垂直整合商业模式,Transphorm始终处于开发更高效、更紧凑、更环保的新一代电力电子技术的前沿。
Transphorm是设计和制造高性能、高可靠性氮化镓(GaN)功率半导体的全球领导者。该公司专注于通过氮化镓技术革新电源转换系统,与传统硅基解决方案相比,该技术具有更高的效率、更低的能量损耗和更强的散热性能。Transphorm的产品广泛应用于数据中心、工业电机、可再生能源系统和电动汽车等领域。凭借强大的专利组合和覆盖设计、制造及应用支持的垂直整合商业模式,Transphorm始终处于开发更高效、更紧凑、更环保的新一代电力电子技术的前沿。
Transphorm 优势热卖产品
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GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
数量
2736
描述
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
数量
1600
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GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
数量
1609
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GANFET N-CH 650V 16A PQFN
数量
1600
描述
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
数量
1600
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GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
数量
1600
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GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
数量
8352
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650 V 25 A GAN FET
数量
2230
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GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
数量
1600
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GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
数量
1600
描述
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
数量
12803
描述
GANFET N-CH 600V 17A PQFN
数量
1600
描述
GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
数量
1600
描述
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
数量
1600
描述
650 V 46.5 A GAN FET HIGH VOLTAG
数量
3249
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650 V 29 A GAN FET
数量
2880
描述
650 V 34 A GAN FET
数量
3139
描述
GANFET N-CH 650V 50A TO247-3
数量
1600
描述
GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
数量
1600
描述
GANFET N-CH 650V 35A TO247-3
数量
1600