产品中心 一站式BOM配单原装正品现货
Cambridge GaN Devices
剑桥氮化镓器件公司(CGD)是一家无晶圆厂半导体企业,由剑桥大学Florin Udrea教授与Giorgia Longobardi博士于2016年联合创立,致力于开发革命性功率器件技术。我们的使命是通过提供高效易用的晶体管,塑造电力电子的未来。CGD专注于氮化镓晶体管及集成电路的设计、开发和商业化,能够显著提升能效与紧凑性,并适用于大规模量产。
剑桥氮化镓器件公司(CGD)是一家无晶圆厂半导体企业,由剑桥大学Florin Udrea教授与Giorgia Longobardi博士于2016年联合创立,致力于开发革命性功率器件技术。我们的使命是通过提供高效易用的晶体管,塑造电力电子的未来。CGD专注于氮化镓晶体管及集成电路的设计、开发和商业化,能够显著提升能效与紧凑性,并适用于大规模量产。
Cambridge GaN Devices 优势热卖产品
描述
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
数量
2257
描述
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
数量
6455
描述
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
数量
4906
描述
650V GAN HEMT, 240MOHM, DFN5X6.
数量
6255
描述
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN5X6.
数量
6549
描述
650V GAN HEMT, 55MOHM, DFN8X8. W
数量
4720
描述
650V GAN HEMT, 130MOHM, DFN8X8.
数量
5013
描述
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
数量
5739