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EPC Space, LLC
EPC Space有限责任公司是一家领先的半导体制造商,专注于为要求最严苛的航空航天、卫星和国防应用提供抗辐射(rad-hard)氮化镓(GaN)电源管理产品。该公司利用氮化镓技术的卓越性能,生产高效、坚固且微型化的电源转换解决方案,其性能优于传统硅基器件。EPC Space的产品经过精心设计,能够承受极端环境条件,包括高辐射、宽温范围和剧烈振动,确保在太空任务中实现关键任务的可靠性和长寿命。作为主要航空航天承包商和政府机构的值得信赖的供应商,EPC Space在提升下一代太空和高可靠性系统的性能和能力方面发挥着关键作用。
EPC Space有限责任公司是一家领先的半导体制造商,专注于为要求最严苛的航空航天、卫星和国防应用提供抗辐射(rad-hard)氮化镓(GaN)电源管理产品。该公司利用氮化镓技术的卓越性能,生产高效、坚固且微型化的电源转换解决方案,其性能优于传统硅基器件。EPC Space的产品经过精心设计,能够承受极端环境条件,包括高辐射、宽温范围和剧烈振动,确保在太空任务中实现关键任务的可靠性和长寿命。作为主要航空航天承包商和政府机构的值得信赖的供应商,EPC Space在提升下一代太空和高可靠性系统的性能和能力方面发挥着关键作用。
EPC Space, LLC 优势热卖产品
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GAN FET HEMT 40V30A COTS 4FSMD-B
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1741
描述
GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
数量
1763
描述
GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
数量
1751
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GAN FET HEMT 200V 18A 4FSMD-B
数量
1637
描述
GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
数量
1618
描述
GAN FET HEMT 100V 30A 4FSMD-B
数量
1640
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GAN FET HEMT200V18A COTS 4FSMD-B
数量
1623
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GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B
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GAN FET HEMT 200V 18A 4UB
数量
1650
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GAN FET HEMT
数量
1625
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GAN FET HEMT 300V4A COTS 4FSMD-C
数量
1765
描述
GAN FET HEMT 100V 90A 5UB
数量
1600
描述
GAN FET HEMT 100V 90A COTS 5UB
数量
1632
描述
GAN FET HEMT 60V 1A 4UB
数量
1620
描述
GAN FET HEMT 60V 1A COTS 4UB
数量
1690
描述
GAN FET HEMT 40V 95A COTS 5UB
数量
1602
描述
GAN FET HEMT 40V 8A 4FSMD-A
数量
1736
描述
GAN FET HEMT 200V 4A 4FSMD-A
数量
1626
描述
GAN FET HEMT 200V 80A COTS 5UB
数量
1671
描述
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
数量
1651