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EPC

EPC是增强型氮化镓功率管理器件领域的领导者。该公司率先推出增强型硅基氮化镓(eGaN®)场效应晶体管，可替代功率MOSFET应用于DC-DC转换器、无线充电、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术（激光雷达）以及D类音频放大器等领域。其器件性能比最先进的硅基功率MOSFET高出数倍。

EPC是增强型氮化镓功率管理器件领域的领导者。该公司率先推出增强型硅基氮化镓(eGaN®)场效应晶体管，可替代功率MOSFET应用于DC-DC转换器、无线充电、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、遥感技术（激光雷达）以及D类音频放大器等领域。其器件性能比最先进的硅基功率MOSFET高出数倍。

EPC 优势热卖产品

描述

TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM

数量

197284

描述

MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

数量

1600

描述

MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE

数量

13695

描述

MOSFET 2N-CH 100V 5A DIE

数量

5243

描述

GANFET N-CH 40V 16A DIE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

数量

55582

描述

TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA

数量

7043

描述

GANFET N-CH 80V 48A DIE

数量

15481

描述

GANFET N-CH 100V 48A DIE

数量

6390

描述

GANFET N-CH 150V 48A DIE

数量

5100

描述

GANFET N-CH 200V 48A DIE

数量

1600

描述

GANFET NCH 40V 31A DIE

数量

1600

描述

GANFET NCH 40V 31A DIE

数量

4503

描述

GANFET NCH 60V 31A DIE

数量

1600

描述

GANFET NCH 60V 31A DIE

数量

15563

描述

GANFET N-CH 200V 48A DIE

数量

18119

描述

TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE

数量

1600

描述

GANFET N-CH 80V 90A DIE

数量

419339

描述

GANFET N-CH 100V 11A DIE

数量

1600

描述

TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD

数量

17362