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Goford Semiconductor

自1995年创立以来，高福德半导体已发展成为一家全球化企业，在美国、澳大利亚、深圳、江苏和香港均设有办事处。我们始终致力于功率MOSFET产品的研发与销售，聚焦能效、移动性和可靠性，为市场提供高性价比的产品。我们恪守承诺：竭诚满足客户需求，提供极其可靠且成本优化的产品；坚持每日创新与进步；与工程师及客户建立共赢的合作伙伴关系；并通过持续努力践行我们的企业使命。

自1995年创立以来，高福德半导体已发展成为一家全球化企业，在美国、澳大利亚、深圳、江苏和香港均设有办事处。我们始终致力于功率MOSFET产品的研发与销售，聚焦能效、移动性和可靠性，为市场提供高性价比的产品。我们恪守承诺：竭诚满足客户需求，提供极其可靠且成本优化的产品；坚持每日创新与进步；与工程师及客户建立共赢的合作伙伴关系；并通过持续努力践行我们的企业使命。

Goford Semiconductor 优势热卖产品

Goford Semiconductor

描述

MOSFET N-CH ESD 150V 6A TO-252

数量

6600

Goford Semiconductor

描述

MOSFET P-CH 30V 85A TO-252

数量

11600

Goford Semiconductor

描述

MOSFET P-CH 60V 60A TO-252

数量

6600

Goford Semiconductor

描述

MOSFET P-CH 100V 35A TO-252

数量

4100

Goford Semiconductor

描述

MOSFET P-CH ESD 150V 12A TO-252

数量

4100

Goford Semiconductor

描述

N40V,150A,RD<1.5M@10V,VTH1.0V~2.

数量

3600

Goford Semiconductor

描述

P40V,RD(MAX)<14M@-10V,VTH2V~3V T

数量

9840

Goford Semiconductor

描述

P60V,RD(MAX)<45M@-10V,VTH2V~3V T

数量

5116

Goford Semiconductor

描述

P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3.

数量

3320

Goford Semiconductor

描述

N60V,RD(MAX)<6.4M@10V,RD(MAX)<8.

数量

10442

Goford Semiconductor

描述

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

数量

3810

Goford Semiconductor

描述

N100V,RD(MAX)<53M@10V,RD(MAX)<63

数量

3459

Goford Semiconductor

描述

N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,

数量

1600

Goford Semiconductor

描述

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

数量

6467

Goford Semiconductor

描述

P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<

数量

1600

Goford Semiconductor

描述

N60V,RD(MAX)<17M@10V,RD(MAX)<21M

数量

4010

Goford Semiconductor

描述

N100V,RD(MAX)<240M@10V,VTH1.2V~3

数量

6178

Goford Semiconductor

描述

N30V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@

数量

6083

Goford Semiconductor

描述

P40V,RD(MAX)<39M@-10V,RD(MAX)<70

数量

5867

Goford Semiconductor

描述

N200V,RD(MAX)<280M@10V,VTH1V~3V,

数量

3927